买卖IC网 >> 产品目录 >> EMT2DXV6T5G 两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

EMT2DXV6T5G

库存数量:可订货
制造商:ON Semiconductor
描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
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制造商 ON Semiconductor
配置 Dual
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
集电极—射极饱和电压 - 60 V
最大直流电集电极电流 0.1 A
增益带宽产品fT 140 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 120 at 1 mA at 6 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-563-6
相关资料
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深圳市德江源电子有限公司 82966416 张先生
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深圳国芯威科技有限公司 0755-29676185 杨小小
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
  • EMT2DXV6T5G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价